Der 100-w-hf-leistungstransistor In Gan-auf-si Von Nitronex Geht In Serie

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    (pressebox) 21.02.2008 - 17:47 Uhr - Nitronex (Vertrieb: GLOBES Elektronik), ein innovativer Entwickler und Hersteller von hochleistungsfähigen HF-Leistungstransistoren für die kommerziellen und die Breitbandfunkinfrastruktur-Märkte, hat einen Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT) in Galliumnitrid-auf-Silizium-Technik für 28 V in der 100-W-Klasse entwickelt, der speziell für Anwendungen zwischen 2,1 und 2,7 GHz bestimmt ist. Entwickelt auf Basis des patentierten SIGANTIC®-Prozesses NRF1, ist der GaN-auf-Si-Hochfrequenzleistungstransistor NPT25100 ideal für Anwendungen in Dauerstrichleistungs- (CW), Puls-, WiMAX-, WCDMA-...

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