Dotierung von Si-Bereiche

Hallo Leute,

also das sind 2 Fragen, bei denen ich zu keiner Antwort komme :stupid: !!


1)Warum ist außerhalb einer langen Spule B ≈ Φ ?
Kann man dies irgendwie „mathematisch“ beweisen ??

2)Bei dieser Aufgabe bin ich am meisten jammern L ! Kann hiervon nur einen kleinen Teil beantworten.
Die Aufgabe ist folgende:
Die Dotierung mehrere Si-Bereiche werde durch folgende Fermienenergien beschieben:



Fermienenergie bzgl. Valenzbandkante (gegeben)!
Majoritätsträgertyp (gesucht) !


0,2 eV = ? = p
1,0 eV = n
0,5 eV = p
0,4 eV = p
0,8 eV = n




1) Geben Sie zu jedem Bereich den Majoritätsträgertypen an !
OK, das habe ich schon gemacht

2) Welche Diffusionsspannung stellt sich ein, wenn solche Gebiete nebeneinander liegen? Betrachten Sie alle möglichen Kombinationen.

3) Was müsste man tun, um die Fermienergie in das Valenzband bzw. Leitungsband zu legen. Was ändert sich dann an der Bandstruktur auffällig?

Tut mir leid, vielleicht sind die Fragen nicht schwer, aber ich finde momentan wirklich keinen Ansatz Haeh !!

Hoffe das jemand mir helfen kann und bin danke für jede Rückmeldung !